W Georgii powstał jednowarstwowy grafenowy półprzewodnik
5 stycznia 2024, 12:06Naukowcy z Georgia Institute of Technology stworzyli funkcjonalny półprzewodnik z grafenu, jednoatomowej warstwy węgla. Ich prace daje nadzieję na szerokie wykorzystanie tego materiału w elektronice. Grafen, pomimo niezwykle obiecujących właściwości, nie trafił do szerokiego użycia w podzespołach elektronicznych. Brak mu tzw. pasma wzbronionego, które umożliwia „włączanie” i „wyłączanie” prądu, a tym samym kodowanie informacji. Dotychczas udawało się uzyskać pasmo wzbronione w dwuwarstwowym grafenie. Specjaliści z Georgia Tech uzyskali w jednowarstwowym grafenie pasmo wzbronione o szerokości 0,6 eV.
Co w iPhonie piszczy...
3 lipca 2007, 08:26Allan Yogasingam z Semiconductor Insights wraz ze współpracownikami zdjęli obudowę iPhone’a i przyjrzeli się wnętrzu urządzenia.. Z kilku układów scalonych trzy były oznaczone logo Apple’a, a na czterech w ogóle nie podano producenta. Badacze rozpuścili ich obudowy w kwasie, by przekonać się, kto jest ich prawdziwym wytwórcą.
Dolina Krzemowa wychodzi z kryzysu
9 lutego 2012, 10:21Opublikowano Silicon Valley Index za rok 2012. To raport, który od 1995 roku ukazuje się corocznie w lutym. Można się z niego dowiedzieć, jak radzi sobie gospodarka i społeczność Doliny Krzemowej. Opisane są w nim bardzo różne instytucje, od szkół po wielkie koncerny.
HHD działa bez Windows
12 października 2007, 11:02Firmy SST (Silicon Storage Technology), specjalizująca się w produkcji pamięci flash oraz Insyde Software, produkujące oprogramowanie dla UEFI, BIOS-u i urządzeń przemysłowych, opracowały bardzo interesującą technologię FlashMate. Pozwala ona odczytywać dane z hybrydowego dysku twardego bez konieczności włączania komputera.
Microsoft o HoloLens
27 maja 2016, 10:13Podczas Imec Technology Forum Microsoft zdradził nieco szczegółów na temat budowy HoloLens. Dowiedzieliśmy się, że najważniejszą jednostką urządzenia jest Holographic Processin Unit (HPU). To przedstawiciel coraz bardziej popularnej klasy wyspecjalizowanych akceleratorów
Bardzo gęste flesze
13 grudnia 2007, 00:04O kolejnym osiągnięciu, dzięki któremu powstaną jeszcze nowocześniejsze pamięci krzemowe, informuje firma Toshiba. Opracowana przez nią struktura z podwójną warstwą tunelowania umożliwi budowanie pamięci flash w technologii 10 nm. Tak duża gęstość upakowania elementów (najnowocześniejsze obecnie mikroprocesory wykonane są w technologii 45 "aż" nanometrów) pozwoli budować układy pamięci flash o pojemności nawet 100 Gbit (12,5 gigabajta).
Toshiba zapowiada 64-warstwowe 3D NAND
20 lipca 2016, 10:58Toshiba ogłosiła, że w trzecim kwartale bieżącego roku rozpocznie produkcję pierwszych 64-warstwowych układów 3D NAND. To wyzwanie rzucone Samsungowi, który podobne układy będzie produkował kwartał później.
Kino w kieszeni
10 stycznia 2008, 00:58W czasach, gdy telefony komórkowe mają wbudowane już prawie wszystko, coraz trudniej znaleźć kolejne gadżety nadające się do integracji z tymi urządzeniami. Jednak inżynierowie nie zaprzestali prac, o czym świadczy urządzenie prezentowane podczas targów CES 2008 przez firmę 3M. Jest to kolejny miniaturowy projektor, tym razem już niemal gotowy do montażu w telefonie.
Tandem na lekooporne bakterie
14 lipca 2017, 13:50Naukowcy z MIT-u odkryli, że sposobem na lekooporne bakterie mogą być tandemy peptydowe dostarczane w porowatych nanocząstkach. Co ważne, tandemy są 30-krotnie bardziej skuteczne od pojedynczych peptydów.
IBM chłodzi najlepiej
5 czerwca 2008, 10:32W laboratoriach IBM-a w Zurichu powstała nowa technologia chłodzenia trójwymiarowych układów scalonych. Inżynierowie Błękitnego Giganta, we współpracy z Fraunhofer Institute obniżają temperaturę układów scalonych wykonanych w technologii 3D, tłocząc wodę pomiędzy poszczególne warstwy kości.
